本专利针对堆叠式芯片吸附过程中吸嘴无法全方面接触导致漏真空或吸附失效的问题，提出一种多平面吸嘴结构。通过设置多级吸附平面与台阶式接触结构，实现对芯片多平面的精准吸附，确保气流均匀分布并有效密封，解决传统吸嘴接触面积不足和密封性差的缺陷，提升芯片搬运稳定性与封装效率。

  2.一般的功率半导体封装是将来自前道工艺的晶圆通过划片工艺之后，会切割为小的芯片(die)，然后将单独的芯片通过焊料、焊膏、高导热银浆等粘片材料，在粘片设备上将芯片使用焊头粘接在框架载体上，再利用金属导线将芯片焊盘与相应的框架引脚进行相连，构成符合标准要求的电路，然后对其使用塑料外壳或陶瓷外壳进行封装保护，再经过固化、锡化、切筋等工艺完成封装。

  3.现有技术中，如图1、图2和图3所示，普通的粘片工艺是通过粘片设备包括的带有吸嘴气流通孔102的普通吸嘴101将单颗芯片30拾取成功。其中，粘片设备和普通吸嘴101之间还包括有焊头、吸嘴气流通孔102和钢嘴，具体地，焊头上设置有吸嘴气流通孔102，普通吸嘴101设置在钢嘴上。随着封装技术的继续扩展，堆叠式芯片应运而生，由于堆叠式芯片可能会处于不同的平面，而普通吸嘴只包括一个平面，在吸取芯片时，其吸嘴只能与堆叠式芯片中的一个面接触，从而存在普通吸嘴与堆叠式芯片中的其他平面不能接触，造成漏真空或因接触面积过小而导致没办法正常拾取的问题。

  4.综上所述，现有堆叠式芯片在吸取过程中，因吸嘴存在无法与堆叠式芯片中的其他平面接触，造成漏真空或因接触面积过小而导致没办法正常拾取的问题。

  5.本发明实施例提供一种多平面吸嘴置，用以解决现有堆叠式芯片在吸取过程中，因吸嘴存在无法与堆叠式芯片中的其他平面接触，造成漏真空或因接触面积过小而导致没办法正常拾取的问题。

  7.多面安装孔，其上端固定在粘片设备上，下端并排至少设置第一气流通孔和第二气流通孔，且通过所述多面安装孔向所述第一气流通孔和所述第二气流通孔通入气体；

  8.所述第一气流通孔延伸至第一吸附平面，第二气流通孔延伸至第二吸附平面，且第一吸附平面与多面安装孔的下表面之间的间距大于第二吸附平面与多面安装孔的下表面之间的间距；

  13.优选地，所述第一气流通孔和所述第二气流通孔的横截面形状一致，且均为矩形。

  14.优选地，所述第一吸附平面和所述第二吸附平面相接触处形成的第一台阶的角度为90度。

  15.优选地，所述第一吸附平面和所述第二吸附平面的面积与待吸附堆叠式芯片的面积相匹配；

  20.优选地，还包括第三气流通孔，所述多面安装孔向所述第三气流通孔通入气体；

  21.所述第三气流通孔延伸至第三吸附平面，所述第三吸附平面与多面安装孔的下表面之间的间距大于第一吸附平面与多面安装孔的下表面之间的间距；或者小于第二吸附平面与多面安装孔的下表面之间的间距；或者大于第二吸附平面与多面安装孔的下表面之间的间距且小于第一吸附平面与多面安装孔的下表面之间的间距；

  22.所述第三吸附平面和所述第一吸附平面相接触处形成第二台阶，或者第三吸附平面和所述第二吸附平面相接触处形成第二台阶。

  23.本发明实施例提供一种多平面吸嘴，包括：多面安装孔，其上端固定在粘片设备上，下端并排设置第一气流通孔和第二气流通孔，且通过所述多面安装孔向所述第一气流通孔和所述第二气流通孔通入气体；所述第一气流通孔延伸至第一吸附平面，第二气流通孔延伸至第二吸附平面，且第一吸附平面与多面安装孔的下表面之间的间距大于第二吸附平面与多面安装孔的下表面之间的间距；所述第一吸附平面和所述第二吸附平面相接触处形成台阶。本发明实施例提供的多平面吸嘴，其与待吸附的堆叠式芯片包括的多个平面，都可以相接触，且每个吸附平面都对应设置一个气流通孔，即每个吸附平面都可以与待吸附的堆叠式芯片相接触，且不存在漏气或者接触面积较小的问题，从而解决了现有普通吸嘴针对具有不一样平面的堆叠式芯片在吸附过程中，存在因漏气或者接触面积比较小而无法正常拾取的问题。

  24.为了更清楚地说明本发明实施例或现存技术中的技术方案，下面将对实施例或现存技术描述中所需要用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还能够准确的通过这些附图获得其他的附图。

  31.其中，101～普通吸嘴，102～吸嘴气流通孔，30～单颗芯片，201～第一吸附平面，202～第二吸附平面，203～第一气流通孔，204～第二气流通孔，205～多面安装孔，206～第一台阶，401～堆叠式芯片第一平面，402～堆叠式芯片第二平面。

  32.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

  33.图4为本发明实施例提供的一种多用平面吸嘴结构示意图；图5为本发明实施例提供的一种多用平面吸嘴仰视结构示意图；图6为本发明实施例提供的一种用平面吸嘴使用状态示意图。以下结合图4～图6为例，详细的介绍本发明实施例提供的多平面吸嘴。

  34.本发明实施例提供的多平面吸嘴最重要的包含多面安装孔205，第一气流通孔203，第二气流通孔204，第一吸附平面201，第二吸附平面202和第一台阶206。具体地，多面安装孔205，其上端固定在粘片设备上，用于和粘片设备做固定；其下端并排至少设置有两个气流通孔，分布为第一气流通孔203和第二气流通孔204。在本发明实施例中，多面安装孔205有两个作用，其一，用于与粘片设备做固定，其二，用于向气流通孔通入气体。

  35.进一步地，第一气流通孔203朝向与多面安装孔205相反方向延伸至第一吸附平面201，相应地，第二气流通孔204朝向与多面安装孔205相反方向延伸至第二吸附平面202。在本发明实施例中，未解决现有普通吸嘴在吸附具有不一样平面的芯片时，存在漏气或接触面积较小而导致拾取芯片失败的问题，优选地，第一吸附平面201和第二吸附平面202具有不一样的高度，具体地，第一吸附平面201与多面安装孔205的下表面之间的间距大于第二吸附平面202与多面安装孔205的下表面之间的间距。通过上述设置，能解决现有普通吸嘴在吸附具有不一样高度的平面时，存在漏气或接触面积较小而导致拾取芯片失败的问题。

  36.进一步地，由于第一吸附平面201和第二吸附平面202之间有高度差，现存技术中，堆叠式芯片包括具有不一样高度的芯片，比如，堆叠式芯片第一平面401和堆叠式芯片第二平面402。在本发明实施例中，为了尽最大可能避免第一吸附平面201和第二吸附平面202与具体不同高度的芯片相接触时，因第一吸附平面201和第二吸附平面202接触处存在连绵斜面，导致接触面积较小或者漏气的问题，优选地，第一吸附平面201和第二吸附平面202相接触处形成第一台阶206。

  37.本发明实施例提供的多平面吸嘴，其与待吸附的堆叠式芯片包括的多个平面，都可以相接触，且每个吸附平面都对应设置一个气流通孔，即每个吸附平面都可以与待吸附的堆叠式芯片相接触，且不存在漏气或者接触面积较小的问题，从而解决了现有普通吸嘴针对具有不一样平面的堆叠式芯片在吸附过程中，存在因漏气或者接触面积比较小而无法正常拾取的问题。

  38.示例地，本发明实施例提供的第一气流通孔203和第二气流通孔204用于向第一吸附平面201和第二吸附平面202提供的气流。一种情况：第一气流通孔203和第二气流通孔204的横截面均为圆形，具体地，当第一吸平面的面积大于第二吸附平面202的面积时，第一气流通孔203的直径大于第二气流通孔204的直径；当第一吸附平面201面积小于第二吸附平面202的面积时，第一气流通孔203的直径小于第二气流通孔204的直径；当第一吸平面的面积等于第二吸附平面202的面积时，第一气流通孔203的直径等于第二气流通孔204的直径。

  39.另一种情况，当第一气流通孔203和第二气流通孔204的横截面形状一致，其形状

  也可以为矩形，即第一气流通孔203的形状为矩形，第二气流通孔204的形状也为矩形。

  40.示例地，本发明实施例中，第一吸附平面201和第二吸附平面202相接触处形成的第一台阶206，其角度为90度。

  41.示例地，本发明实施例中，由于第一吸附平面201和第二吸附平面202需要分别与待吸附的堆叠式芯片包括的堆叠式芯片第一平面401和堆叠式芯片第二平面402相接触，因此，第一吸附平面201和第二吸附平面202的面积分别与堆叠式芯片第一平面401和堆叠式芯片第二平面402的面积相匹配。

  42.具体地，当待吸附堆叠式芯片包括的两个平面的面积不一致时，第一吸附平面201的面积可以大于第二吸附平面202的面积；第一吸附平面201的面积可以小于第二吸附平面202的面积。比如，当堆叠式芯片第一平面401的面积大于堆叠式芯片第二平面402时，则第一吸附平面201的面积大于第二吸附平面202的面积；当堆叠式芯片第一平面401的面积小于堆叠式芯片第二平面402时，则第一吸附平面201的面积小于第二吸附平面202的面积；

  43.进一步地，当待吸附堆叠式芯片包括的两个平面的面积相等时，第一吸附平面201的面积等于第二吸附平面202的面积。比如，堆叠式芯片第一平面401的面积等于堆叠式芯片第二平面402时，则第一吸附平面201的面积等于第二吸附平面202的面积。

  44.进一步地，由于第一台阶206为第一吸附平面201和第二吸附平面202相接触形成的，因此，第一台阶206的高度与待吸附堆叠式芯片包括的两个平面的高度差相匹配。比如，第一台阶206的高度与待吸附堆叠式芯片包括的堆叠式芯片第一平面401和堆叠式芯片第二平面402的高度差相匹配。

  45.需要说明的是，本发明实施例提供的多平面吸嘴，当其待吸附的堆叠式芯片包括三个平面时，其提供的多平面吸嘴，也可以包括三个气流通孔，分别为第一气流通孔203，第二气流通孔204和第三气流通孔。进一步地，多面安装孔205也同时向第三气流通孔通入气体。

  46.当多平面吸嘴包括三个气流通孔时，第三气流通和第一气流通孔203、第二气流通孔204一样，同样也孔延伸至第三吸附平面。进一步地，第三吸附平面与多面安装孔205的下表面之间的间距可以大于第一吸附平面201与多面安装孔205的下表面之间的间距；第三吸附平面与多面安装孔205的下表面之间的间距可以小于第二吸附平面202与多面安装孔205的下表面之间的间距；第三吸附平面与多面安装孔205的下表面之间的间距可以大于第二吸附平面202与多面安装孔205的下表面之间的间距且小于第一吸附平面201与多面安装孔205的下表面之间的间距。在本发明实施例中，对第三吸附平面与多面安装孔205的下表面之间的间距不做具体限定。

  47.当多平面吸嘴包括三个气流通孔时，第三吸附平面和第一吸附平面201相接触处能形成第二台阶；第三吸附平面和第二吸附平面202相接触处也能形成第二台阶。在本发明实施例中，对第二台阶的具置不做限定。

  48.需要说明的是，本发明实施例提供的多平面吸嘴，当其待吸附的堆叠式芯片包括四个平面时，其提供的多平面吸嘴，也可以包括四个气流通孔，其包括的第四气流通孔，第四吸附平面和第三台阶的设置，可以借鉴上述实施例，在此不再赘述。

  49.为了更详细的介绍本发明实施例提供的多平面吸嘴，以下介绍该多平面吸嘴的使用方法：

  50.步骤1：将多平面吸嘴包括的多面安装孔根据芯片方向对应长边与短边平整安装在设备焊头钢嘴上；

  51.步骤2：调整多平面吸嘴在x、y方向的位置，确保多平面吸嘴的中心点与设备的dcc中心点在一条直线上，并且通过校准多平面吸嘴的位置来确保第一台阶与堆叠式芯片第二平面之间不接触。

  52.步骤3：调整多平面吸嘴在z方向的接触高度，即调整第一吸附平面与堆叠式芯片第一平面之间的高度，第二吸附平面与堆叠式芯片第二平面402之间的高度。

  53.步骤4：通过设备顶针将待吸附堆叠式芯片分离，第一吸附平面从第一气流通孔流出气流，第二吸附平面从第二气流通孔流出气流，第一吸附平面将堆叠式芯片第一平面吸附到第一吸附平面上，第二吸附平面将堆叠式芯片第二平面吸附到第二吸附平面上。

  54.步骤5：当待吸附堆叠式芯片通过焊头运动放置到载置之后，设备通过电磁阀转换关闭真空，打开弱吹气功能，弱吹气通过第一气流通孔至第一吸附平面，弱吹气通过第二气流通孔至第二吸附平面，将待吸附堆叠式芯片包括的堆叠式芯片第一平面与第一吸附平面分离，堆叠式芯片第二平面与第二吸附平面分离。

  56.综上所述，本发明实施例提供一种多平面吸嘴，包括：多面安装孔，其上端固定在粘片设备上，下端并排设置第一气流通孔和第二气流通孔，且通过所述多面安装孔向所述第一气流通孔和所述第二气流通孔通入气体；所述第一气流通孔延伸至第一吸附平面，第二气流通孔延伸至第二吸附平面，且第一吸附平面与多面安装孔的下表面之间的间距大于第二吸附平面与多面安装孔的下表面之间的间距；所述第一吸附平面和所述第二吸附平面相接触处形成台阶。本发明实施例提供的多平面吸嘴，其与待吸附的堆叠式芯片包括的多个平面，都可以相接触，且每个吸附平面都对应设置一个气流通孔，即每个吸附平面都可以与待吸附的堆叠式芯片相接触，且不存在漏气或者接触面积较小的问题，从而解决了现有普通吸嘴针对具有不一样平面的堆叠式芯片在吸附过程中，存在因漏气或者接触面积比较小而无法正常拾取的问题。

  57.尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。

  58.显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围以内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

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